창신메모리에 기술 유출한 삼성전자 출신

창신메모리($CXMT ) 기술유출 주동자 및 조직 실체 주모자 : 전직 삼성전자 부장·연구원급 핵심 인력 • 김 모 씨 (전 삼성전자 부장 / CXMT 개발실장): 삼성전자에서 D램 공정 개발에 관여했던 인력. 2016년 CXMT 설립 직후 개발실장으로 영입되어 10나노급 D램 기술 확보를 위한 핵심 인력 영입을 주도. 2026년 4월 파기환송심에서 징역 6년4개월·벌금 2억원 선고. • 전 모 씨 (전 삼성전자 연구원 / CXMT 초기 개발 참여): 삼성전자의 10나노급 D램 핵심 공정정보(PRP 등 수백 단계) 를 자필 노트(12장)에 옮겨 적어 CXMT 이직 시 유출. 2025년 구속기소, 2026년 4월 1심에서 징역 7년 선고. • 양 모 씨 (전 삼성전자 임원 / CXMT 2기 개발실장): 18나…