고성능 메모리 HBM, 쿨링을 위한 '굴뚝'이 필요한 시대

HBM은 DDR/GDDR 계열보다 대역폭 증가 속도가 빠르지만, 그만큼 소비전력도 계속 늘어나고 있습니다. 전송 효율은 세대가 올라가면서 개선되고 있으나, 이는 대역폭 증가에 따른 비트당 효율의 문제이며, HBM 스택 전체가 소비하는 절대 전력과 칩 면적은 증가하는 방향으로 가고 있습니다. HBM은 아래쪽의 베이스 다이가 프로세서와의 인터페이스를 담당하고, 그 위에 DRAM 다이가 여러 층으로 쌓이는 구조입니다. 과거에는 베이스 다이도 DRAM 다이와 같은 공정으로 만들 수 있었지만, HBM3E 이후에는 신호 속도가 매우 높아지면서 베이스 다이에 로직 공정을 사용하는 흐름이 생기고 있습니다. HBM2는 1,024bit 폭에서 307GB/s, HBM3는 819GB/s, HBM3E는 1,178GB/s 수준까지…